技术简介： 本发明涉及一种应用金属纳米粒子的光伏电池结构，包括从下到上依次布置的阳极层、空穴提取层、活性层、电子提取层及阴极层，还包括金属纳米粒子，所述金属纳米粒子位于所述阳极与空穴提取层之间…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种无铅钙钛矿太阳能电池太阳能电池在基板上包括由下至上依次设置的第一电极、第一载流子传输层、无铅钙钛矿化合物层、第二载流子传输层和第二电极，其中，所述无铅钙钛矿化合物层由…… 查看详细 >
CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用
技术简介： 本发明属于半导体材料技术领域，提供CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备方法。所述方法经过步骤一制备前驱体溶液；将铜的无机盐和硫脲以一定的比例溶解在酰胺及其衍生物中的一种溶剂中，生成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片，进一步采用氮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种MOSFET结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底电极、衬底、沟道区、源区、漏区、源极、漏极、栅氧层和栅极，所述衬底内置的衬底区域形成表面为非平面的沟道区，且沟道区的两侧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法
技术简介： 本发明公开了一种具有P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，…… 查看详细 >
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