[00288239]一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710205252.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性，刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间，模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结，由于结构相同，所以发射极和集电极功能可以互换，即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态，模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

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