[00288233]一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710019345.5
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京邮电大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法,该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅,同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度,使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位,PN结在反向电场下更易耗尽;另一方面还将变掺杂思想引入新结构,将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应,平衡漂移区电荷,提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性;并且,工艺简单,易于制造,可进一步降低生产成本。