X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
 常见问题
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求
APP下载 微信公众号
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00288233]一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710019345.5

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法,该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅,同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度,使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位,PN结在反向电场下更易耗尽;另一方面还将变掺杂思想引入新结构,将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应,平衡漂移区电荷,提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性;并且,工艺简单,易于制造,可进一步降低生产成本。

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网