[00288234]一种MOSFET结构

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710325286.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种MOSFET结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底电极、衬底、沟道区、源区、漏区、源极、漏极、栅氧层和栅极，所述衬底内置的衬底区域形成表面为非平面的沟道区，且沟道区的两侧分别设置源区和漏区；所述源极和漏极分别对应设置于源区和漏区上；所述栅氧层覆盖于非平面沟道区的表面；所述栅极设置于栅氧层表面，及栅极的两端与源极和漏极均存在间隔，并且栅极的两端分别延伸于源区和漏区形成重叠。本发明采用非平面沟道MOSFET结构，可以降低漏区的电场峰值，并增加器件有效沟道长度，改善和抑制漏致势垒降低效应，抑制短沟道效应，且降低漏区的高电场，抑制热载流子的生成，提高器件稳定性。

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