技术简介： 本发明公开了一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，具体是一种插入离子自组装层作为电极修饰层大幅改善喷墨打印制作有机场效应晶体管(OFET)器件性能的方法。所采用的器件结构是底栅底接触结构：…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于有机电子器件技术领域，提供一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管，所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、活性层和绝缘层，栅电极与源电极、漏电极之间通过绝缘层绝…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法，在栅极和半导体层界面间增加三层聚合物做绝缘层，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高绝缘性聚合物、高介电常数材料的聚合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法，在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，包括重掺杂硅片、修饰层十八烷基三氯硅烷OTS、修饰层聚苯乙烯PS、源、漏电极层、P3HT有机半导体活性层，在绝缘层与电极层间设置修饰层,所述的修饰…… 查看详细 >
技术简介： 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PE…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种钛菁铜忆阻器忆阻器属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本实…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括…… 查看详细 >
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