技术简介： 本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法
技术简介： 本发明公开了一种具有P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层部分SOI 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采…… 查看详细 >
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