技术简介： 本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件，该器件采用新型的双阱器件结构，即在一个P型硅衬底上形成两个完全相同的n阱，每个n阱中分别有三个重掺杂N+区，两个n阱最外侧的N+区互相连接，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种螺旋管式压电弹簧及其制备方法。该压电弹簧为螺旋管状结构，压电弹簧从内至外包括金属内芯、压电材料层和外电极层。该制备方法首先把金属内芯绕制成螺旋管状结构；然后使用提拉法…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种通信、照明复用LED灯该LED灯包含有两种功能，一是白光照明，二是用作红外光通信的发射端。其中，照明是以一种或多种稀土离子（Dy3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Eu2+、Ce2+、Tm3+、Ho3+…… 查看详细 >
技术简介： 发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有双频光协同转换能力的纳米薄膜及其喷墨打印成膜方法。该材料以氟化物作为基质材料，选取Er3+离子作为激活发光中心离子，能够同时吸收紫外光和红外光并转换为可见光。其制备…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收…… 查看详细 >
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