[00288256]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410607350.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，包括重掺杂硅片、修饰层十八烷基三氯硅烷OTS、修饰层聚苯乙烯PS、源、漏电极层、P3HT有机半导体活性层，在绝缘层与电极层间设置修饰层,所述的修饰层包含十八烷基三氯硅烷OTS层和聚苯乙烯PS层。步骤一，选重掺杂硅片为衬底，重掺杂硅作为栅电极，热氧化生成的二氧化硅作为绝缘层；步骤二，在绝缘层上用汽化的方式制备十八烷基三氯硅烷OTS修饰层；步骤三，在十八烷基三氯硅烷OTS修饰层上旋涂一层聚苯乙烯PS修饰层；步骤四，在聚苯乙烯PS修饰层上通过掩膜蒸镀方式制备源、漏电极；步骤五，在电极上用喷墨打印的方法制备有机半导体活性层。

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