[00288235]基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710192058.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，两个p‑n结量子阱器件都可以同时作为光源和探测器，中间通过悬空的氮化镓波导实现光耦合。由于两个p‑n结量子阱器件材料和结构相同，且氮化镓材料有既可发光也可探测光的特性，在电注入时，基于能够同时发光并探测外部入射光的物理机制，就能够实现同时同频全双工通信。最终，基于发光材料、感光材料和波导材料的一致性，本发明提出的全双工通信芯片可以单片集成在微米级别的硅衬底上。

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