技术简介： 本发明涉及高热稳定性无扩散阻挡层Cu(Ru)合金材料的制备方法，其特征在于是以单晶Si(111)片作为衬底材料，选用高纯Cu靶和Ru靶，固定Cu靶功率为80±10W，在(3-15)±1W范围内改变Ru靶的溅射功率进而…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用溅射法制备五层柔性无胶双面覆铜箔的方法，首先准备热固性聚酰亚胺薄膜，采用去离子水清洗，干燥后采用电晕或等离子处理；然后将处理后的薄膜放入磁控溅射镀膜室，分两次镀…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用溅射法制备柔性无胶双面覆铜箔的方法，首先准备聚酰亚胺薄膜，采用去离子水清洗，干燥后采用电晕或等离子处理；然后将处理后的薄膜放入磁控溅射镀膜室，抽真空后充入氩气，…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种WAlN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，其特征在于是该薄膜厚度1-3um，含有W、Al、N元素，其中W含量为60at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量为0at.％-40at.％且不等于0，N元…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种TaN-Ag硬质薄膜及其制备方法，TaN-Ag硬质薄膜是以高纯Ta靶和Ag靶为靶材，采用多靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上得到的，薄膜分子式为TaN-Ag，厚度在1-3μm；沉…… 查看详细 >
技术简介： 一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜，利用真空退火炉、EDS、XRD，台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种硬质薄膜及其制备方法，该薄膜是以纯W靶、纯Cu靶和纯Cr靶为靶材，利用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上，薄膜分子式为W2N-Cu，其中W含量为85at.％-100at.％…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种一体式可旋转气相沉积基片加热装置，包括电机、与电机连接的磁耦合转轴，所述磁耦合转轴固定在法兰盲板上，磁耦合转轴转动带动同轴连接的齿轮转动，齿轮与旋转轴啮合，从而…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种超声变幅杆耐高温铝液腐蚀的保护方法，具体方法是将以耐热钢为主要材料的超声变幅杆首先经过热浸镀铝后再进行微弧氧化包裹陶瓷层而保护起来。本发明将热浸镀铝和微弧氧化技术相结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于激光熔覆技术领域，特别涉及一种挤出机螺杆和筒体的耐磨自润滑复合工作层的激光熔覆方法，其特征在于采用高碳高铬铁基自熔合金粉末作为熔覆材料，向其中加入具有高温红硬性的W和V元素…… 查看详细 >
用于固体氧化物燃料电池金属连接器的高温耐蚀导电陶瓷涂层材料及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种用于固体氧化物燃料电池金属连接器的高温耐蚀导电陶瓷涂层，是在金属基体表面采用高能微弧电沉积先制备5～20μm厚、晶粒尺寸为0.01～2μm的金属Co过渡层，再制备0.1～5μm厚、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种压铸模具表面先渗铝后氧化的处理方法及氧化装置。所述方法是先在压铸模具表面上采用冷喷涂扩散方法进行渗铝处理，然后采用常温硬质阳极氧化方法进行氧化处理。所述装置由氧化槽…… 查看详细 >
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