[00306881]一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610258271.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：江苏科技大学

所在地：江苏镇江市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜，利用真空退火炉、EDS、XRD，台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明，不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构，具有择优取向。当退火温度小于300℃时，退火有利于改善薄膜结晶质量，起到释放残余应力及提升膜基结合力的作用；随退火温度的进一步升高，残余应力进一步释放，此外，Ru薄膜中检测到了氧，薄膜中氧化相的出现导致膜基结合力降低。

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