技术简介： 摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请公开了一种减反膜、光电子器件及其制作方法。本发明在III-V电池或薄膜电池的表面设计制备大周期的微纳结构，实现入射光在介质微纳结构中以高阶衍射形式进入介质材料，并进一步满足…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED芯片及其应用。该LED芯片包括衬底及分布于衬底表面的外延层，所述LED芯片的长边和宽边中任一者的尺寸均大于177.8µm。当所述LED芯片为长方形芯片时，其长边与宽边的长…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片，该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联，并且至少…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种新型透明基板LED封装结构，包括透明基板及一个以上LED芯片，所述透明基板的第一面上分布有一个以上透明平台状凸起部，每一凸起部上端面均直接安装有一LED芯片，其中…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种LED集成封装结构，包括基板、设置在所述基板上表面的封装胶槽、以及设置于所述封装胶槽上的微结构层；其中，所述封装胶槽上开设有包括多个固晶槽的固晶槽阵列，每一个所述…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纳流控二极管，其包括纳米管道，所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明还提供了该纳流控二极管的制备方法，其…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管，包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层；间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极；形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之…… 查看详细 >
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