[00229913]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510166798.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，栅电极设于第二半导体表面，第二半导体内还包含P型掺杂区，P型掺杂区分布于栅电极下方但在第一半导体上方，栅电极包括：与第二半导体形成肖基特接触的、作为离子注入能量吸收层的第一栅电极材料层，以及叠设在第一栅电极材料层上的第二栅电极材料层。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。

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