技术简介: 摘要:本发明公开了一种复合纳米碳纸及其制备方法。该纳米碳纸以碳纳米纸为骨架网络,表面沉积MnO2金属氧化物,外层包裹石墨烯,属柔性复合膜材料;其制备方法是将碳纳米管分散于溶剂中,随后进…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种离子迁移管的制作方法,在硅基衬底表面沉积金属电极,并对硅基衬底进行刻蚀,以形成独立的一对叉指电极,再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔,将玻璃基片与硅…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中,所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属;s12、在氮气气氛下退火,形成欧…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括:在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构,其中所述第一半导体…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构,包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体,所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种基于透明基板的半导体发光器件封装结构,包括:透明基板,安装于该透明基板的第一面上的至少一半导体发光芯片,以及,安装在该透明基板上的、主要由导热材料组成的反…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种LED发光器件,其包括相对设置的第一透明基板和第二透明基板,所述第一透明基板和第二透明基板之间安装有一个以上LED芯片,该一个以上LED芯片的电极与导电电路电性连…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构,包括自支撑氮化镓衬底,该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构,位于镓面的所述电极结构的边缘形成…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种随机噪声源,其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中,半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构,包括基座以及,安装在基座上的HEMT器件,该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极,该异质结构包括:…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件,包括源、漏极以及异质结构,源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接,其中异质结构包括:设置于源、漏极之间的第一半导体;形成于第一…… 查看详细 >
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