[00229911]减反膜、光电子器件及其制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410307268.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本申请公开了一种减反膜、光电子器件及其制作方法。本发明在III-V电池或薄膜电池的表面设计制备大周期的微纳结构，实现入射光在介质微纳结构中以高阶衍射形式进入介质材料，并进一步满足高阶衍射角大于其临界角。从而使得高阶衍射光进一步以导模形式耦合进入半导体层材料，直至完全吸收，降低其零级衍射成分，从而避免了多次散射造成的反射，也突破了介质微纳结构/半导体层之间高的界面反射对整个结构表面反射的影响，为III-V多结电池以及其他薄膜电池宽谱高效吸收太阳光奠定表面基础。且该结构可同时钝化太阳电池表面，并与相应电池工艺兼容。因此，该减反结构有助于真正应用于III-V、薄膜太阳电池，还可以应用于探测器，有效提高效率。

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