交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
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将厚度为100-250μm的修刀 用晶圆片的正面贴上两层半导体用的保护膜,划片刀修刀时沿着晶圆片的解理面进行划片,采用阶梯升速式进刀速度进行修刀,具体为进刀速度从5mm/s升至40mm/s的过程中,每修30-50刀提升进刀速度5mm/s,直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀。本发明通过调整划片刀修刀工艺,实现了降低产品崩边和裂芯的问题,并且将划片刀的修刀时间大大降低,生产效率和质量均得到大幅提升,同时降低企业生产成本和风险, 增加客户满意度。
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