交易价格： 面议
类型： 非专利
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依据对应稳定性机制,研发提高器件稳定性的工艺路线等技术方案。基于对器件电学特性随温度变化的工作机理研究,提高了对非晶氧化物薄膜晶体管（Thin-film transistors, TFTs）的电学特性和导电机制的理解与调控;设计出提高非晶氧化物薄膜晶体管稳定性的结构,结合工艺研究,使新的样品在环境中的电学特性具有更高的可重复性,从原来的一天保存时间可延长到一个月甚至更长。实现基于更新技术方案的样品进行温变电学特性建模;结合实验与模拟深入探讨非晶IGZO薄膜晶体管的工作机制。
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