交易价格: 面议
类型: 非专利
交易方式: 资料待完善
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本产品开发了掺镓多晶硅片,由于镓元素分凝系数较小(0.008),铸锭凝固后镓主要分布在硅锭头部,容易造成硅锭头部电阻率不良,从而影响铸锭产品良率。本产品开发了多元素共掺技术、局部反掺技术及反掺工艺,通过工艺技术优化,提高了硅锭头部电阻率,避免了因镓元素导致头部出现不良现象,率先验证了掺镓铸锭量产的可行性。 项目开发了低衰减掺镓多晶硅片,优化了掺镓浓度,针对头部电阻率偏低问题开发了局部反掺技术及减压反掺工艺,研制的低衰减掺镓多晶硅片光衰比例分布在0.4%-0.7%之间,相比常规多晶硅片光衰比例降低30%-60%左右。硅片光衰比例的降低一方面可有效提高组件的使用寿命,提高光电利用率;另一方面低衰减硅片符合新型高效电池工艺发展的需求,可有力促进行业高效电池工艺技术的发展,具有广阔的市场应用前景。
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