交易价格： 面议
类型： 非专利
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu↓［2］O↓［3］和Bi↓［2］O↓［3］,研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60－100转／分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓［2］O↓［3］助熔剂。
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