交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
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技术说明： 该项目用镓替代硼作为掺杂剂,提高了单晶硅片的抗衰减效果;在工艺上采用掺杂剂分次加入、调整拉升速率、加快坩埚、晶转速率等方法,减小了晶体头尾电阻率的差异,提高了晶体的利用率。产品具有光电转换效率高、衰减率低等特点。 技术性能指标： 产品主要技术指标符合相关标准要求。 1)基体总金属杂质含量≤45ppba 2)表面总金属杂质含量≤66ppba 3)单晶棒长度≥1030 4)单晶棒头部氧≤9.3×1017atms/cm3 5)单晶棒尾部碳≤4×1016atms/cm3 6)导电类型：P型 7)硅棒头尾中心电阻率：4.7-0.7Ω.cm 8)单晶棒头尾径向电阻率不均匀度：≤25% 9)位错密度：≤350个/cm2 10)晶向：100 11)尾部体少载流子寿命：≥10.7us 12)平均光衰比：LID≤1.2% 13)光电转换效率：≥17.2%
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