交易价格： 面议
类型： 非专利
交易方式： 资料待完善
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简要技术说明： 1.利用生长过程中的循环过滤新技术，提高了溶液的稳定性、晶体的质量和生长的成功率。 2.改进了原料合成方法和工艺，降低了氘磷酸中的多磷酸的含量，提高原料的纯度。 3.提高控温精度。我们改进了生长槽保温结构，利用高精度的控温仪，使得生长槽中的温度波动达到±0.01℃。提高生长的成功率，阻止单斜相的生成，减少晶体中的白纹、包裹、散射等。并利用这套设备生长了相关的一些晶体。验证了该设备的通用性和可靠性。 4.加入合适的络合剂，消除有害杂质对晶体质量的影响。 5.系统地研究溶液中原料、PD值、晶种、搅拌、转动、降温量等因素对晶体生长的影响， 项目研究主要应用前景如下： 1.研制出截面积达80×80(mm2)的DKDP大单晶，晶体的光学技术指标如下：透过率(%)达90%；破坏阈值(GW/cm2)达6；半波电压1/4(KV)达7.9；电阻率(Ω/cm2)达2.3×109；消光比达10500:1，达到国内外先进水平。 2.通过本项目的研究开发，建立起DKDP晶体生长的小试装置，使DKDP晶体的生长合格率达80%以上。
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