本发明属于储能纳米材料技术领域，公开了一种多孔Zn‑Ni‑P‑O@rGo杂化纳米片阵列材料及其制备方法，本发明的多孔Zn‑Ni‑P‑O@rGo纳米片阵列材料在碳布基底上原位自生长形成并包括ZnO、NiO、ZnP2、Ni2P物相，其中，纳米片由球形颗粒自组装形成，纳米片上球形颗粒之间孔洞均匀分布，平均孔径为10nm。本发明的多孔Zn‑Ni‑P‑O@rGo杂化纳米片阵列材料，经过碳布基底清洗、种子层制备、Zn‑Ni‑O杂化纳米片阵列前驱体制备、多孔Zn‑Ni‑P‑O@rGo前驱体制备以及退火热处理制得。根据本发明的多孔Zn‑Ni‑P‑O@rGo杂化纳米片阵列材料及其制备方法，可以增强材料的电化学性能，作为柔性自支撑电极材料应用在柔性超级电容器储能器件制备工业，且具有可控性强、绿色环保、工艺简单、高效和低成本的特点。
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