本成果针对微电子领域半导体技术快速发展,集成电路中的晶体管数目不断增加,使得沟道长度不断缩小的问题,原子层沉积技术成为制备高介电栅介质层的不二之选,已成为半导体研发生长中的一个重要技术。本成果为小型化原子层沉积设备,可用于新材料的研发,也适用于高校的课程使用。1.反应腔内径 5cm,长 100cm;2.包含 5 路前驱体,其中 2 路为可加热源;3.生长温度为室温至 500℃。技术成熟度 5 级,可开展合作开发。成果可应用于微电子、光电子、光学、纳米技术、微机械系统、能源、催化、生物医用、显示器、耐腐蚀及密封涂层等领域