特种器件开发项目包含六款N沟道MOSFET和一款P沟道MOSFET，均具有100kRad（Si）抗电离总剂量和75 Mev/（mg/cm2）抗单粒子的能力，产品工作温度范围：-55℃～150℃；质量等级：JCT。
产品采用平面抗辐照设计和工艺，多次外延、局部小场氧和复合终端结构等创新技术均可在行业内同类产品中推广应用。已授权集成电路布图专利11项，申请发明专利2项。建立了抗辐照MOSFET三大技术平台，完成了设计定型和产品拓展；打破了国外技术壁垒；实现了从芯片设计、流片到封装测试的完全自主可控。
项目组织了11人的研发团队，历时四年完成研制。近三年的销售总额达到1103.44万。项目于2024年6月11日获得陕西电子信息集团科学技术进步一等奖。
项目的设计定型和搭载试验的成功，标志着我公司特种抗辐照MOSFET产品已具备飞行经历，对特种领域电源用MOSFET的国产化替代有重要的战略意义。对提高企业自主创新、推动科技进步具有十分重要的意义，特别是对相关特种技术产业的发展起着重要的作用。