X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
 常见问题  关于我们
成果
成果 专家 院校 需求
微信公众号
当前位置:首页 > 对接活动 > 找成果 > 详情页

国产自主IP的55nm制程闪存技术(单元面积世界最小)

所属分类:电子信息产业

所属单位:CMOS集成电路成套工艺与设计技术创新中心

联系人:-

联系方式:0951-6087161 /5020588

所在地:

成果简介

团队开发的自主IP嵌入式闪存器件,具有优异的编程抗干扰能力和数据保持能力。在器件可靠性方面,已实现100K次编程擦除循环,在125℃条件下确保数据在长达10年的时间内保持准确无误。跟国际最新技术相比,实现了存储单元面积微缩43%,读取电压下降5%,编程/擦除速度提升66%。相关成果已被2024年国际电子器件顶级会议IEDM收录,成为近十年来唯一成功发表在该会议的该类成果。

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

联系电话:0951-5064080              网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网