技术简介： 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.6％均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材，掺杂材料质量百分比分别为Al：0.2％，Fe：0.12％，Si：0.…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出一种中性团簇束流喷嘴集群实现宽幅纳米颗粒束流的方法，所述束流喷嘴集群由束流集群板即集成束流枪实现，束流集群板分为两层，第一层为多个集成束流枪的喷嘴，第二层为分离器，分离器…… 查看详细 >
技术简介： 超高真空系统中的电子束蒸发源电子束蒸发源包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板（8）和生长速率计（9）的组合体、离子收集片（7）、灯丝（5）、定位孔柱（4）、金属源棒（3）外围为…… 查看详细 >
技术简介： 先进材料的生长测试一体化系统，包括光源产生系统，真空传输系统，材料生长系统以及时间和自旋分辨的电子能谱测试系统；所述光源产生系统包括极紫外超短脉冲激光系统，光学参量转换系统，极紫外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于新型铁基超导体领域，具体涉及一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法。首先将Fe、Se、Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀；其次将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24…… 查看详细 >
技术简介： 本发明的一种用于提高蒸发束流稳定性的坩埚和具有该坩埚的源炉，属于薄膜生长技术领域。其中本发明的一种用于提高蒸发束流稳定性的坩埚，坩埚设置为直筒形，且坩埚顶部外壁与坩埚底部外壁等径，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种CdSeTe@SiO2核壳纳米材料，它是通过合成量子点内核，再在内核表面一层层覆盖二氧化硅外壳的方法合成得到的。本发明还公开了前述的CdSeTe@SiO2核壳纳米材料的制备方法。与现有技…… 查看详细 >
技术简介： 一种易施工和养护的高性能热固性环氧沥青混合料，它包括A、B、C和D四个组分，其特征是：A组分主要由环氧树脂、增韧剂、促进剂和稀释剂组成，B组分主要由固化剂、促进剂、相容剂和稀释剂组成，C…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种木质素-淀粉复合丁苯橡胶材料及其制备方法。所述复合丁苯橡胶材料由以下重量份数的原料组成：BR9000(30.00)，SBR1712(96.00)，白炭黑1165MP(70.00)，助剂(25.3)，木质素-淀粉复…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种自修复材料在3D打印中的应用。本发明以自修复材料作为3D打印材料，利用自修复材料的自修复功能，智能检测并自发的完成对材料的修复，从而可以预防材料由于产生微裂纹而存在的潜在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种改性纳米二氧化硅填充改性氰酸酯树脂，其由以下重量份数的组分制成，氰酸酯树脂100份，改性纳米二氧化硅1～4份，催化剂0.05～0.2；所述的氰酸酯树脂为双酚A型氰酸酯树脂，双酚F…… 查看详细 >
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