技术简介： 本发明公开一种溶胶凝胶二氧化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、按质量比2.12：0.75：0.43：1称取乙醇、去离子水、甲酰胺和正硅酸四乙酯，将上述组分混合均匀；b、将步骤a中得到的溶液的pH调…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种调控金属纳米颗粒在树脂载体内分布的方法。它是以具有碱性功能基团的离子交换树脂或吸附树脂为载体，先将金属以络合阴离子的形式通过离子交换作用导入到树脂载体上，然后通过改…… 查看详细 >
技术简介： 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次…… 查看详细 >
技术简介： CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分…… 查看详细 >
技术简介： 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排…… 查看详细 >
技术简介： 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、…… 查看详细 >
技术简介： 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬…… 查看详细 >
技术简介： 鱼叉状连续金属膜吸波材料，在介质衬底上制作均匀分布的两个互相垂直交叉站立的介质材料U形结构,得到一种鱼叉状结构单元；随后在全部交叉站立的介质材料的U形结构上方和衬底上表面全覆盖一层金…… 查看详细 >
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