技术简介： 本发明公开了一种TiWCN硬质薄膜及制备方法，其特征在于该薄膜是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ti(W，C，N)，厚度在1-3μm。沉积时，真空度优于3.0&…… 查看详细 >
技术简介： 钛-钇-氮纳米硬质薄膜及制备方法，薄膜采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到，所述薄膜硬度稳定，断裂韧性随Y含量的升高逐渐升高，抗氧化温度随Y含量的升高先升高后降…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种尖晶石/金属基体复合材料及其制备方法，是在惰性气体保护下，运用高能微弧合金工艺将MnCu合金电极材料沉积在金属基材表面，经高温氧化后得CuyMn3‑yO4高温耐蚀导电涂层，MnCu合金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及Ta-Mo-N复合涂层及其制备方法，Ta-Mo-N复合涂层是采用高纯Ta靶和高纯Mo靶共溅射，与真空室中Ar气和N2混合气体中的N2气反应生成Ta-Mo-N，沉积在金属、硬质合金或陶瓷的基体上形成；该…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种WBN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，其特征在于该薄膜是利用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上，薄膜分子式为（W,B）N，厚度在1-3um。沉积时,真空度优于3.0…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种TaCN硬质纳米结构薄膜，其特征在是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ta(C，N)，厚度在1‑3μm。沉积时，真空度优于3.0×10‑3P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了NbVN硬质纳米薄膜及其制备方法，其特征在于薄膜分子式为（Nb,V）N，厚度为1～3μm，V含量为0～50at.%，该薄膜的摩擦系数在室温至700℃范围内随着温度的升高而降低。是利用双靶共焦…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种TiWN硬质纳米结构薄膜及制备方法，其特征在于是该薄膜是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ti(W，N)，厚度在2-3μm。沉积时，真空度…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及NbN-Ag硬质薄膜及其制备方法，其特征在于硬质薄膜分子式为NbN-Ag，厚度为1～5μm，Ag含量为0～50at.％且大于0；是以高纯Nb靶和Ag靶为靶材，利用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种VCN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，是在室温下，采用高纯的V靶和C靶为靶材，双靶共焦射频反应溅射法沉积在基体上得到的。沉积时，以氩气起弧，氮气为反应气体，氩氮气流量比为1…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚，包括内层和外层，其中，所述内层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得；所述的外层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种利用无机盐胁迫萌发苦荞种子的方法，属于荞麦的精深加工技术领域。本发明提供的是一种利用三种盐，即铝盐、锌盐或铜盐之一种，胁迫萌发苦荞的条件进行优化，在所获得的优化条件下对苦…… 查看详细 >
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