技术简介： 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜，包括底层和磁性层，磁性层为：轻稀土元素7.28％-17.85％；重稀土元素：18.15％-28.72％；过渡金属：5…… 查看详细 >
技术简介： 颗粒增强铝基复合材料制备技术可以在大气、氩气或氮气以及真空不同状态下制备复合材料，不同保护气氛下所制备的材料质量各不相同。采用双重搅拌结构，内搅拌和外搅拌，即主搅拌和副搅拌。主搅拌…… 查看详细 >
技术简介： 该器件是一种颜色稳定的有机—无机异质结白色电致发光器件，使用该器件既能克服有机异质结界面可能会出现激基复合物发光而降低发光效率，又能解决器件的发光颜色随电压发生变化等问题。器件的白…… 查看详细 >
技术简介： 对有机薄膜电致发光器件的结构和电子传输层材料进行改进，从而有效提高有机薄膜电致发光器件的亮度、效率和寿命。技术特点：是在透明电极上，依次制备空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子…… 查看详细 >
技术简介： 活性粉末混凝土与普通和高性能混凝土相比具有超高强度、高韧性、高耐久性、高体积稳定性和环保性等特点。在工程中应用可显著减轻结构自重（可减轻自重1/3），可显著提高结构的整体性能。有以下…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种毛细管电泳-多光子激发荧光柱上检测仪,该检测仪包括半导体激光器、物镜、计算机、采集卡、光电倍增管、二向色镜、带通滤光片、全反射镜、铂电极、直流高压电源、第一、第二…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型有机半导体材料、其制备方法及应用。该有机半导体材料具有如下结构式：其制备方法包括：以萘或含有萘结构的衍生物作为起始原料，依次经1，5位官能化反应，再通过与芳香基团…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.01…… 查看详细 >
技术简介： 一种高效传热纳米铜材及其制备方法。该铜材表面覆设有超薄超润湿的纳米或微纳复合多孔镍膜，该纳米多孔镍膜包含主要由镍纳米花簇构成的多孔结构，该微纳复合多孔镍膜包括主要由镍的微米或纳米三…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的…… 查看详细 >
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