交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310302799.5
交易方式： 许可转让
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。
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