技术简介： 产冠菌素桑丁香假单胞菌株及其发酵生产冠菌素的方法本发明公开了一种产冠菌素桑丁香假单胞菌株及其发酵生产冠菌素的方法。发明中涉及的一株桑丁香假单胞菌（Pseudomonassyringaepv.mori）M4-13…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种人工仿生复眼的制作方法，其包括步骤：首先利用飞秒脉冲双光子聚合法制出反型曲面微透镜模子；并以此为基础利用紫外纳米压印制成一立体曲面微透镜模板；然后在立体曲面微透镜模…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及表面化学及应用化学领域，具体地，本发明涉及一种固体表面修饰空气稳定性磷脂膜的方法。根据本发明的方法包括：1)制备聚乙二醇(PEG)化磷脂分子的小单壁磷脂囊泡溶液，其中PEG化磷脂分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法，其特征步骤依次包括：对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光；对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；对底…… 查看详细 >
技术简介： 一种抗电网冰冻灾害涂料本发明公开了一种抗电网冰冻灾害涂料，按质量百分比含量由组分：聚乙烯醇缩丁醛的醇溶液为60～70%，有机硅预聚体为10～20%，正硅酸乙醋为10～20%，蒸馏水为1～8%磷酸为0.…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻…… 查看详细 >
技术简介： 一种钎焊Si3N4陶瓷的高温非晶钎料本发明公开了一种钎焊Si3N4陶瓷的高温非晶钎料，属于钎焊材料技术领域。本发明的钎焊Si3N4陶瓷的高温非晶钎料的组分和含量按质量百分比为：Ti：35.0～45.0%；Zr…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途，通过在对透射光透明的衬底材料上形成光子晶体，且设计该光子晶体的禁带和介质带，分别选择性地适配于高频段、中频段及低频段的入射…… 查看详细 >
技术简介： 有机硅改性聚乙烯醇缩丁醛卷材涂料本发明公开了一种有机硅改性聚乙烯醇缩丁醛卷材涂料，按质量百分比由组分聚乙烯醇缩丁醛的醇溶液为60～70%，苯基三甲氧基硅烷为10～20%，甲基苯基二甲氧基硅烷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种真空原子力显微镜及其使用方法，属于微观形貌检测设备领域，其包括电子束发射装置、二次电子探测器、带悬臂梁的探针、压电陶瓷扫描器和反馈控制器。工作时，将电子束照射于探针…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种PN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-p型GaN掺杂层结构的PN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应…… 查看详细 >
技术简介： 一种三维4f-5d配位聚合物及其制备方法与应用本发明涉及一种三维4f-5d配位聚合物及其制备方法与应用。以中性二维层状配位聚合物为构筑块，以pyrazine为柱状配体，在乙睛中通过混合法制得三维4f-5…… 查看详细 >
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