[00134422]对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200910032300.7

交易方式： 完全转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口，并深度刻蚀至埋层SiO2，形成基于埋层SiO2的背面深孔与正面薄膜结构；去除SOI衬底上剩余的刻蚀阻挡层后在薄膜金属表面涂覆电子束抗蚀剂，并进行电子束直写曝光、显影、定影，得到所需的极限纳米级图形。藉由以SOI作为薄膜金属的衬底材料，并对SOI面向所需图形生成区域的背面进行深度刻蚀的工艺，极大地降低了电子束临近效应的不利影响，为在金属薄膜材料上生成极限纳米级图形提供了一种实施简便、图形精度高且成本低廉的电子束曝光改善方法。

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