技术简介： 本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种双环低压差线性稳压器电路,包括误差放大器、第二级放大器、功率管、补偿单元、输出采样网络、负载电容和负载电路、前馈放大器、上拉驱动管、下拉驱动管和采样管。包括两条…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种单端输入的迟滞比较电路,包括用于产生阈值电压的阈值电压产生环路,以及用于产生迟滞电压的正反馈支路;正反馈支路由电流源I3和开关SW串联构成;阈值电压产生环路包括PMOS管P1…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种基于场效应晶体管传感器的离子液体痕量H2O的检测方法。该传感器利用场效应晶体管的结构，其中有源层为与待检测离子液体不互溶的N型有机半导体材料。将待检测的离子液体滴到该传…… 查看详细 >
技术简介： 铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种GaN腐蚀液，包括离子液体以及、强酸或强碱，其中离子液体的重量占比为51%~90%，强酸或强碱的重量占比为10%~49%。本发明还公开了GaN腐蚀液制备方法以及GaN腐蚀液对GaN的腐蚀方法…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.01…… 查看详细 >
技术简介： 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种低电压参考源电路。该电路包括PTAT电流产生电路、启动电路和低压基准产生电路;PTAT电流产生电路用于产生一个正比于绝对温度电流,该电流为PN结的热电压与其中电阻的比值;该…… 查看详细 >
技术简介： 一种前馈脉宽调制器公开了一种前馈脉宽调制器,包括一个环路中的转换器外围电路、输出电压采样电路、误差放大器、斜波产生器、脉宽调制比较器、反相器和开关管。转换器外围电路将输入电压转换成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于四面体坐标系的三维图形的变形方法，其包括步骤：输入三维图形；标定四面体的顶点；获得三维图形上的每一个点在四面体中的四面体坐标值；拖动四面体的顶点，以使四面体变形；…… 查看详细 >
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