交易价格： 面议
类型： 实用新型专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200620157557.7
交易方式： 许可转让
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北武汉市
铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10～30NM;下电极金属层的厚度为100NM～200NM;下缓冲层的厚度为5～20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM～500NM;上缓冲层的厚度为100NM～200NM;上电极金属层的厚度为80NM～150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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