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类型： 非专利
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本发明涉及一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区、肖特基接触栅电极、Si衬底、漏极、源极、SiN隔离层;3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区位于S i衬底上;源极位于3C-SiC源区上,肖特基接触栅电极位于3C-SiC沟道区上,漏极位于3C-SiC漏区上;SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极,以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法,可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度,从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。
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