交易价格： 面议
类型： 非专利
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本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在所述外延层上分别制作红光、绿光和蓝光Micro-LED电极,并采用金属互连线将各个Micro-LED相连形成可独立寻址、高集成度的RGBMicro-LED阵列。本发明显著提高Micro-LED显示屏的分辨率,同时也省去了传统RGBMicro-LED制作过程中巨量转移这一步骤,避免了转移率低、一致性差等问题。
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