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一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件,属于功率半导体器件技术领域。这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板,并利用高K介质作为场板介质。一方面,结型场板的PN结电场调制器件表面电场,改善器件的电场分布,提高器件耐压;另一方面,在反向阻断状态时,结型场板辅助耗尽器件漂移区,使器件漂移区掺杂浓度大幅提高,从而降低导通电阻;高K介质用作场介质层,更有利于导通电阻和静态功耗的降低。与常规金属场板相比,结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷;与多晶电阻场板相比,结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。此外,本发明也与SOI?CMOS电路具有很好的兼容性。
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