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类型： 非专利
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通过利用环形明场成像技术在皮米（0.001 纳米）尺度上精确测量阴、阳离子之间的键长来计算表面结构的细微畸变（图一）。研究表明，在不同极化取向的铁电畴中，PbZr0.2Ti0.8O3的表面原子结构完全不一样，在表面薄层中可以存在“铁电死层”和高能的带电畴壁。这些发现为铁电薄膜、铁电陶瓷、铁电表面催化等应用提供了非常重要的信息。同时，发展起来的基于环形明场像技术定量测量绝缘氧化物表面结构的方法，将极大地提高我们对这些复杂功能氧化物材料物性的认知。
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