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[00327800]揭示单层MoS2能谷直接-间接带隙转变的研究

交易价格： 面议

类型： 非专利

交易方式： 资料待完善

联系人：

所在地：北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

利用大面积高质量的单层MoS2薄膜，对其施加了流体静压力并进行光谱测量。结果表明单层MoS2在压应力的作用下，其荧光峰先以49.4 meV/GPa的压力蓝移，后以15.3 meV/GPa的压力红移，这对应着直接-间接能带结构的转变，转变点压力为1.9 GPa。

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