交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110178698.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 厦门立德软件公司
所在地：浙江厦门市
本发明是一种大面积投影光刻系统及其对准方法。本发明大面积投影光刻系统，包括准分子激光器、照明系统、平移台、掩模板、投影系统、硅片基板，其中掩模板及硅片基板分别装设在平移台的两端，准分子激光器通过照明系统进行光路调制与光束质量优化后，使紫外激光的光斑透过安装在平移台一端位置上的掩模板，掩模板所成的激光物象通过投影系统成像在安装在平移台另一端位置上的硅片基板上。本发明采用了计算机数字图像处理中的模式识别方法实现掩模、硅片对准标记相对位置的计算，以取代传统光度型方法中采用的求和投影算法的相对位置计算方式，可有效提高对准精度，本发明对准精度对比传统方法有显著的提高，可直接媲美衍射光栅型对准系统。
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