[00317008]一种基于SOI材料的交叉波导及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201611065753.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：广西大学

所在地：广西壮族自治区广西壮族自治区

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明揭示了一种基于SOI材料的交叉波导，其由输入/输出区，过渡区，以及交叉区组成；输入/输出区为缝隙直波导，该缝隙直波导由两条硅直波导，以及垂直缝隙组成，其中，两条硅直波导均为条形波导，垂直缝隙内填充二氧化硅；过渡区为缝隙弯曲波导，该缝隙弯曲波导由两条硅弯曲波导，以及垂直缝隙组成，其中，两条硅弯曲波导均为条形波导，垂直缝隙内填充高折射率二氧化硅；交叉区为一条直波导，该直波导由一条高折射率二氧化硅波导，以及二氧化硅组成。同时，本发明还揭示了一种基于SOI材料的交叉波导的制备方法。本发明的交叉波导交叉损耗与串扰小，工作带宽大，制备工艺的容差大，适于低成本、高集成度、大规模制造。

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