[00315711]MOSFET BSIM3热载流子注入可靠性模型的建模方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200910052963.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：华东师范大学

所在地：上海上海市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：一种MOSFET BSIM3 HCI可靠性模型的建模方法，属于集成电路器件模拟技术领域。在该建模方法中选取与偏压大小条件相关的第一标准参数作，使该方法建立的BSIM3 HCI可靠性模型其具有清晰的物理意义及高度的准确性，能够对不同偏压条件下不同偏压时间的MOSFET电学特性进行准确模拟，其模拟输出曲线能反映MOSFET特性随施压偏压及其偏压时间明显变化的现象。因此，对标准工艺MOSFET HCI效应进行可靠性设计成为可能，大大降低集成电路设计的风险与成本。

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