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[00309175]一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610174896.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 济南大学

所在地:山东济南市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法,其组成为Zn1‑xCoxZrNb2O8,其中0≤x≤0.1;先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料,经过混料、烘干、过筛,预烧、造粒、压制成型等工艺后,于1100~1200℃烧结,制得掺杂离子后的Zn1‑xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子,在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下,够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26,品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz,谐振频率温度系数为‑11.3~‑15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单,使用设备廉价,过程环保,在工业上有着极大的应用价值。

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