[00288495]基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110441607.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件的集成。

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