[00287876]一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710192315.4
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
所在地：江苏南京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
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