[00287558]一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110191728.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京邮电大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明的目的是提供一种结构简单、精度高、能在通用的电子电路仿真器上进行模拟的十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型。由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络;将十字形器件分为一个中心区域和四个叉指区域,中心区域的有源区用RH-RD-CB网络表示,叉指区域的有源区用RF-CF网络表示;该模型几乎考虑了霍尔传感器的所有物理与几何效应,能模拟霍尔传感器的各种直流、交流和瞬态特性,适合在实际含有霍尔器件的工程电路中应用,进行大批量生产。