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[00287558]一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110191728.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明的目的是提供一种结构简单、精度高、能在通用的电子电路仿真器上进行模拟的十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型。由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络;将十字形器件分为一个中心区域和四个叉指区域,中心区域的有源区用RH-RD-CB网络表示,叉指区域的有源区用RF-CF网络表示;该模型几乎考虑了霍尔传感器的所有物理与几何效应,能模拟霍尔传感器的各种直流、交流和瞬态特性,适合在实际含有霍尔器件的工程电路中应用,进行大批量生产。

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