[00287261]一种高Q值微型圆形谐振腔器件及其制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210570246.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京邮电大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件,采用SOI晶片作为载体,所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层;所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列,其中,一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接,另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接;光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成,围绕C型谐振腔和光波导规则排列;每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成,两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频,提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。