[00282315]利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410003915.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压V_DS的大小，测量不同V_DS下的阈值电压V_TH，得到V_TH随V_DS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到V_TH在V_DS>0时随V_DS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔV_TH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化；利用单电子信息，转化为采样点X_i处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。

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