[00282312]一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710045259.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极；本发明的存储器具有优异的阻变存储功能，又具有磁记录特性，可实现高密度多态电磁存储功能；本发明还公开了其制备方法，该方法是在基于原子层沉积的多功能高密度电磁存储器件制备技术，与微电子工艺具有很好的兼容性，为未来产业化规模应用提供了可行性，且可以保障存储器件结构的均匀性、共形性和可控性，并与成熟的半导体工艺兼容，便于实现高密度多功能电磁存储器件与微电子器件集成，实现规模化、产业化的应用。

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