[00280170]一种纳米半导体PbS掺杂石英放大光纤及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510941634.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：上海大学

所在地：上海上海市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明涉及一种纳米半导体PbS掺杂石英放大光纤及其制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成，PbS位于纤芯结构中。本发明采用改良化学气相沉积技术（MCVD）依次沉积内包层与纤芯二氧化硅疏松层颗粒至半透明玻璃状态；然后，利用原子层沉积技术（ALD）在半透明玻璃表面上交替沉积PbS与SiO2或GeO2半导体材料；其次，采用MCVD沉积掺杂GeO2的高折射纤芯层，高温缩棒获得PbS掺杂光纤预制棒；最后，经拉丝塔拉制成光纤。本发明中放大光纤具有分散性高、掺杂浓度可控、损耗低、放大效率高等优点，本发明结构简单合理、价位低廉、易于产业化生产，可用于构建光纤激光器与放大器及光纤传感与高非线性效应特性等。

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