交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310424108.9
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 中南大学
所在地：湖南长沙市
本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法（专利号201310424108.9）；属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法，首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中，用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜，随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液，上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜，然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤，控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层，最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制，薄膜干燥退火时容易开裂的难题。本发明所需设备简单，制备成本低廉，所得产品性能优良等优点，便于实现产业化生产。
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